128 Mbit DDR SGRAM The **HYB25D128323CL-4.5** is a synchronous DRAM (SDRAM) module manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:
### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Type:** Synchronous DRAM (SDRAM)  
- **Density:** 128Mbit (16M x 8)  
- **Organization:** 4M x 32 (4 banks)  
- **Voltage:** 3.3V (±0.3V)  
- **Speed:** 4.5ns (CL=3)  
- **Package:** 54-pin TSOP-II  
- **Interface:** LVTTL  
- **Refresh:** 4096 cycles (64ms)  
- **Burst Length:** 1, 2, 4, 8, full page  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)  
### **Descriptions:**
- The **HYB25D128323CL-4.5** is a high-speed CMOS SDRAM designed for applications requiring high bandwidth and low power consumption.  
- It supports programmable burst lengths and CAS latencies for optimized performance.  
- Features a fully synchronous operation with a single 3.3V power supply.  
### **Features:**
- **Synchronous Operation:** Clock-controlled commands and data transfer.  
- **Multiple Burst Lengths:** Supports 1, 2, 4, 8, or full-page burst modes.  
- **Auto Refresh & Self Refresh:** Ensures data retention with low power consumption.  
- **Programmable CAS Latency (CL):** Supports CL=3 for high-speed operation.  
- **4-Bank Architecture:** Enables concurrent operations for improved efficiency.  
- **Low Power Consumption:** Standby and active power-saving modes.  
- **Compliant with JEDEC Standards:** Ensures compatibility with industry specifications.  
This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.