IC Phoenix logo

Home ›  H  › H34 > HYB18TC512160BF-2.5

HYB18TC512160BF-2.5 from QIMONDE

Fast Delivery, Competitive Price @IC-phoenix

If you need more electronic components or better pricing, we welcome any inquiry.

0.000ms

HYB18TC512160BF-2.5

Manufacturer: QIMONDE

512-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
HYB18TC512160BF-2.5,HYB18TC512160BF25 QIMONDE 66 In Stock

Description and Introduction

512-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM The part **HYB18TC512160BF-2.5** is a memory module manufactured by **Qimonda**. Below are its specifications, descriptions, and features based on available factual information:  

### **Specifications:**  
- **Type:** DDR2 SDRAM  
- **Density:** 512Mbit (64M x 8)  
- **Organization:** 64M words × 8 bits  
- **Speed:** **-2.5** (400 MHz, PC2-3200)  
- **Voltage:** 1.8V (±0.1V)  
- **Package:** FBGA (Fine-Pitch Ball Grid Array)  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to +85°C) or Industrial (-40°C to +95°C) depending on variant  
- **Refresh:** 8K/64ms (self-refresh supported)  
- **Burst Length:** 4, 8 (programmable)  
- **CAS Latency (CL):** 3, 4, 5  

### **Descriptions:**  
- The HYB18TC512160BF-2.5 is a **DDR2 Synchronous DRAM** designed for high-speed, low-power applications.  
- It supports **double data rate (DDR)** transfers on both rising and falling clock edges.  
- The **-2.5** speed grade indicates a **400 MHz** clock frequency with a **5 ns cycle time**.  

### **Features:**  
- **Differential Clock Inputs (CK, CK#)** for improved signal integrity.  
- **On-Die Termination (ODT)** for reduced signal reflections.  
- **4-bit Prefetch Architecture** for higher bandwidth.  
- **Programmable CAS Latency (3, 4, 5)** for flexibility in timing.  
- **Auto Precharge & Self-Refresh Modes** for power efficiency.  
- **FBGA Packaging** for compact and high-density applications.  

This information is based on Qimonda's datasheet and technical documentation for the HYB18TC512160BF-2.5 DDR2 SDRAM module.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
HYB18TC512160BF-2.5,HYB18TC512160BF25 QIMOND 3500 In Stock

Description and Introduction

512-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM The part **HYB18TC512160BF-2.5** is manufactured by **QIMOND**. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Memory Type:** DDR SDRAM  
- **Density:** 512Mb (64M x 8)  
- **Organization:** 64M words × 8 bits  
- **Voltage:** 2.5V ± 0.2V  
- **Speed Grade:** -2.5 (400MHz @ CL=3)  
- **Package:** TSOP II (54-pin)  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)  

### **Descriptions:**
- A high-speed **512Mb DDR SDRAM** designed for applications requiring high bandwidth and low power consumption.  
- Suitable for **computing, networking, and consumer electronics** applications.  
- Compliant with **JEDEC DDR SDRAM standards**.  

### **Features:**
- **Double Data Rate (DDR) architecture** for high-speed data transfer.  
- **Burst Length:** 2, 4, or 8 (programmable).  
- **Auto Refresh and Self Refresh** modes.  
- **Programmable CAS Latency (CL):** 2, 2.5, or 3.  
- **Differential Clock Inputs (CK and /CK)** for noise reduction.  
- **Data Strobe (DQS)** for precise data capture.  
- **4 internal banks** for concurrent operations.  

This information is strictly based on the manufacturer's provided data for **HYB18TC512160BF-2.5**.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
HYB18TC512160BF-2.5,HYB18TC512160BF25 QIMONDA 1432 In Stock

Description and Introduction

512-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM The HYB18TC512160BF-2.5 is a DDR2 SDRAM module manufactured by Qimonda. Below are the specifications, descriptions, and features based on factual information:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Qimonda  
- **Type:** DDR2 SDRAM  
- **Density:** 512Mbit  
- **Organization:** 16M x 32  
- **Speed Grade:** -2.5 (DDR2-533, PC2-4200)  
- **Operating Voltage:** 1.8V ± 0.1V  
- **Package:** FBGA (Fine-Pitch Ball Grid Array)  
- **Data Rate:** 533 Mbps (266 MHz clock frequency)  
- **Burst Length:** 4 or 8 (programmable)  
- **CAS Latency (CL):** 3, 4, or 5 cycles  
- **Refresh Mode:** Auto-refresh and self-refresh  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to 85°C) or Industrial (-40°C to 95°C) depending on variant  

### **Descriptions & Features:**  
- **High Performance:** Designed for applications requiring high-speed data transfer.  
- **Low Power Consumption:** Operates at 1.8V, reducing power usage compared to DDR1.  
- **Dual-Channel Support:** Optimized for dual-channel memory configurations.  
- **On-Die Termination (ODT):** Improves signal integrity by reducing reflections.  
- **Four-Bank Architecture:** Enhances memory efficiency and reduces access conflicts.  
- **Differential Clock Inputs (CK/CK#):** Ensures precise timing and synchronization.  
- **Programmable Burst Length:** Supports burst lengths of 4 or 8 for flexible data access.  
- **Compliant with JEDEC Standards:** Ensures compatibility with industry-standard DDR2 systems.  

This information is strictly based on the manufacturer's specifications and does not include any additional recommendations or interpretations.

Request Quotation

For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]

Part Number Quantity Target Price($USD) Email Contact Person
We offer highly competitive channel pricing. Get in touch for details.

Specializes in hard-to-find components chips