512Mbit Double Data Rate (DDR2) Component The **HYB18T512800AF-5** from Infineon is a high-performance **512Mb (64M x 8) DDR SDRAM** module designed for demanding computing and embedded applications. Built with advanced semiconductor technology, this component delivers fast data transfer rates and reliable operation, making it suitable for systems requiring high-speed memory access.  

Operating at a **clock frequency of 200 MHz (DDR400)**, the HYB18T512800AF-5 supports **double data rate (DDR) signaling**, effectively doubling bandwidth compared to traditional SDRAM. It features a **5 ns cycle time (tCK)** and a **CAS latency of 3**, ensuring efficient data handling in latency-sensitive environments.  

The module operates at a **1.8V supply voltage**, reducing power consumption while maintaining performance—a critical factor for energy-efficient designs. Its **TSOP-II package** ensures compatibility with standard PCB layouts, simplifying integration into existing systems.  

With robust error correction and thermal management capabilities, the HYB18T512800AF-5 is well-suited for applications such as **networking equipment, industrial automation, and high-performance computing**. Its reliability and speed make it a preferred choice for engineers seeking a balance between power efficiency and processing throughput.  

Infineon’s expertise in memory technology ensures that this component meets stringent industry standards, providing long-term stability and performance consistency in diverse operating conditions.