The HYB18T512160AF-5 is a high-performance synchronous dynamic random-access memory (SDRAM) module developed by Infineon Technologies. Designed for demanding applications, this component offers a 512 Mbit (32M x 16) capacity, making it suitable for embedded systems, networking equipment, and industrial computing solutions.  

Operating at a clock frequency of 166 MHz (5 ns cycle time), the HYB18T512160AF-5 delivers efficient data throughput with low latency. It supports a 1.8V power supply, reducing power consumption while maintaining reliable performance. The module features a fully synchronous pipeline architecture, enabling high-speed burst access and seamless integration with modern processors and controllers.  

Built with Infineon’s advanced semiconductor technology, this SDRAM module ensures robust operation in extended temperature ranges, making it ideal for industrial and automotive applications. Its compact form factor and industry-standard pinout facilitate easy implementation in space-constrained designs.  

With its combination of speed, density, and energy efficiency, the HYB18T512160AF-5 is a dependable choice for developers seeking high-performance memory solutions in critical computing environments.