The HYB18T512160AF-3.7 is a high-performance synchronous dynamic random-access memory (SDRAM) module designed for demanding computing and embedded applications. Manufactured with advanced semiconductor technology, this component offers a reliable memory solution with a capacity of 512 megabits (64 megabytes) and a 16-bit data bus width.  

Operating at a speed grade of -3.7, the module delivers fast data access with low latency, making it suitable for systems requiring efficient memory performance. Its synchronous interface ensures seamless integration with modern processors and controllers, supporting clock frequencies that meet industry standards.  

The HYB18T512160AF-3.7 is built for stability, featuring robust power management and error-resistant architecture. It is commonly used in networking equipment, industrial automation, telecommunications, and other applications where consistent data throughput is critical.  

With its compact form factor and compliance with industry specifications, this SDRAM module provides a balance of speed, capacity, and power efficiency. Engineers and designers value its dependable operation in environments where performance and reliability are paramount.  

For detailed technical specifications, refer to the component’s datasheet to ensure compatibility with specific system requirements.

The HYB18T512160AF-3.7 is a high-performance synchronous dynamic random-access memory (SDRAM) module designed for demanding computing and embedded applications. With a capacity of 512 megabits (64 megabytes), this component operates at a speed grade of -3.7, indicating a clock frequency of 166 MHz (PC133 equivalent). It features a 16-bit data bus and supports low-power operation, making it suitable for energy-efficient systems.  

Built with advanced semiconductor technology, the HYB18T512160AF-3.7 offers reliable data storage and retrieval, ensuring stable performance in industrial, automotive, and telecommunications environments. Its synchronous interface allows for efficient data transfer, while its auto-refresh and self-refresh modes enhance power management.  

This SDRAM module adheres to industry-standard JEDEC specifications, ensuring compatibility with a wide range of systems. Its robust design and high-speed operation make it ideal for applications requiring rapid data processing, such as networking equipment, medical devices, and automation controllers.  

Engineers and designers seeking a dependable memory solution will find the HYB18T512160AF-3.7 a suitable choice for enhancing system performance while maintaining power efficiency and reliability.

The **HYB18T512160AF-3.7** is a high-performance **512Mb (32M x 16) DDR SDRAM** module developed by Infineon Technologies. Designed for applications requiring fast data access and high bandwidth, this component operates at a **3.7ns cycle time (266MHz clock frequency)**, making it suitable for embedded systems, networking equipment, and industrial computing.  

Built on advanced semiconductor technology, the HYB18T512160AF-3.7 features **double data rate (DDR) architecture**, enabling efficient data transfer on both rising and falling clock edges. It supports a **1.8V low-voltage operation**, reducing power consumption while maintaining reliability. The module includes **on-die termination (ODT)** and programmable burst lengths, enhancing signal integrity and flexibility in system design.  

With a **16-bit wide data bus**, this memory component provides a balanced combination of speed and capacity. Its **CAS latency of 2.5** ensures rapid response times, while its **JEDEC-compliant design** guarantees compatibility with industry standards.  

Engineers and system designers favor the HYB18T512160AF-3.7 for its **robust performance, low power profile, and high data throughput**, making it an ideal choice for demanding computing environments. Its reliability and efficiency position it as a key component in modern memory-intensive applications.