256Mbit Double Data Rate (DDR2) Component The part **HYB18T256800AF-5** is a memory module manufactured by **Qimonda**. Here are its specifications:  

- **Type**: DDR2 SDRAM  
- **Density**: 2Gb (256M x 8)  
- **Organization**: 256M words × 8 bits  
- **Speed**: 800 MHz (PC2-6400)  
- **Voltage**: 1.8V ± 0.1V  
- **Package**: 60-ball FBGA (Fine-pitch Ball Grid Array)  
- **CAS Latency (CL)**: 5  
- **Timings**: 5-5-5 (CL-tRCD-tRP)  
- **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +85°C)  
- **RoHS Compliance**: Yes  

This module is designed for high-performance computing applications.

256Mbit Double Data Rate (DDR2) Component ### Introduction to the HYB18T256800AF-5  

The HYB18T256800AF-5 is a high-performance synchronous dynamic random-access memory (SDRAM) component designed for applications requiring fast data access and efficient memory management. This 256Mb (32M x 8) device operates at a speed grade of 5ns, making it suitable for computing, networking, and embedded systems where low latency and high bandwidth are critical.  

Built with advanced CMOS technology, the HYB18T256800AF-5 supports a 3.3V power supply and features a fully synchronous interface, enabling seamless integration with modern processors and controllers. Its burst mode capability enhances data transfer efficiency, while programmable burst lengths and CAS latencies provide flexibility for system optimization.  

The component adheres to industry-standard JEDEC specifications, ensuring compatibility with a wide range of platforms. Its robust design includes auto-refresh and self-refresh modes, which help maintain data integrity while minimizing power consumption in low-power applications.  

Engineers and designers often select the HYB18T256800AF-5 for its reliability, performance, and industry-proven architecture. Whether used in servers, telecommunications equipment, or industrial automation, this SDRAM module delivers the speed and stability required for demanding memory-intensive tasks.

256Mbit Double Data Rate (DDR2) Component The HYB18T256800AF-5 is a high-performance synchronous dynamic random-access memory (SDRAM) module developed by Infineon Technologies. Designed for applications requiring fast data access and high bandwidth, this component is well-suited for use in networking equipment, telecommunications systems, and embedded computing solutions.  

With a capacity of 256 Mbit (32M x 8), the HYB18T256800AF-5 operates at a clock frequency of 166 MHz, delivering efficient data transfer rates. Its low-voltage operation (2.5V) ensures reduced power consumption, making it ideal for energy-sensitive applications. The module supports burst read and write operations, enhancing performance in high-speed data processing environments.  

Built with Infineon’s advanced semiconductor technology, the HYB18T256800AF-5 offers reliable performance with low latency and robust signal integrity. It complies with industry-standard JEDEC specifications, ensuring compatibility with a wide range of systems. The component is available in a compact TSOP-II package, facilitating easy integration into various circuit designs.  

Engineers and designers will appreciate its balance of speed, power efficiency, and reliability, making it a dependable choice for demanding memory applications. Whether used in industrial automation, medical devices, or communication infrastructure, the HYB18T256800AF-5 delivers consistent performance under rigorous operating conditions.