HYB18T256800AF-5

256Mbit Double Data Rate (DDR2) Component The HYB18T256800AF-5 is a high-performance synchronous dynamic random-access memory (SDRAM) module developed by Infineon Technologies. Designed for applications requiring fast data access and high bandwidth, this component is well-suited for use in networking equipment, telecommunications systems, and embedded computing solutions.  

With a capacity of 256 Mbit (32M x 8), the HYB18T256800AF-5 operates at a clock frequency of 166 MHz, delivering efficient data transfer rates. Its low-voltage operation (2.5V) ensures reduced power consumption, making it ideal for energy-sensitive applications. The module supports burst read and write operations, enhancing performance in high-speed data processing environments.  

Built with Infineon’s advanced semiconductor technology, the HYB18T256800AF-5 offers reliable performance with low latency and robust signal integrity. It complies with industry-standard JEDEC specifications, ensuring compatibility with a wide range of systems. The component is available in a compact TSOP-II package, facilitating easy integration into various circuit designs.  

Engineers and designers will appreciate its balance of speed, power efficiency, and reliability, making it a dependable choice for demanding memory applications. Whether used in industrial automation, medical devices, or communication infrastructure, the HYB18T256800AF-5 delivers consistent performance under rigorous operating conditions.

256Mbit Double Data Rate (DDR2) Component