Very low Power SDRAM optimized for battery-powered, handheld applications **Introduction to the HYB18L256160BF-7.5 Memory Module**  

The HYB18L256160BF-7.5 is a high-performance synchronous DRAM (SDRAM) module developed by Infineon Technologies. Designed for applications requiring fast data access and high bandwidth, this component features a 256Mbit capacity organized as 16M words × 16 bits, making it suitable for embedded systems, networking equipment, and industrial computing.  

Operating at a clock frequency of 133 MHz (7.5 ns cycle time), the HYB18L256160BF-7.5 delivers efficient data throughput with low latency. It supports burst read and write operations, enhancing performance in sequential data transfers. The module operates at a standard 3.3V supply voltage, ensuring compatibility with a wide range of digital systems while maintaining power efficiency.  

Built with reliability in mind, this SDRAM module incorporates advanced error correction and refresh mechanisms to ensure data integrity. Its industrial-grade design makes it resilient in demanding environments, including temperature variations and electrical noise.  

With its balanced combination of speed, capacity, and robustness, the HYB18L256160BF-7.5 is a dependable choice for developers seeking high-speed memory solutions in critical applications. Its integration-friendly design further simplifies implementation in complex electronic systems.