4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM The part **HY5V66GF-H** is manufactured by **HYUNDAI**. Below are its specifications based on Ic-phoenix technical data files:

1. **Type**: DRAM (Dynamic Random-Access Memory)  
2. **Density**: 64Mb  
3. **Organization**: 4M x 16  
4. **Voltage**: 3.3V  
5. **Speed**: 66MHz (Access Time: 15ns)  
6. **Package**: 54-pin TSOP-II  
7. **Technology**: Synchronous DRAM (SDRAM)  
8. **Refresh**: 4K/64ms  
9. **Operating Temperature**: Commercial (0°C to 70°C)  

This information is strictly factual and sourced from Ic-phoenix technical data files.

4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM The part number HY5V66GF-H is a memory component manufactured by HYUNDAI (now SK hynix). Here are the factual specifications from Ic-phoenix technical data files:

1. **Manufacturer**: HYUNDAI (now part of SK hynix)  
2. **Part Number**: HY5V66GF-H  
3. **Type**: DDR SDRAM (Double Data Rate Synchronous Dynamic Random-Access Memory)  
4. **Density**: 64Mb  
5. **Organization**: 4M x 16 (4 Meg words x 16 bits)  
6. **Voltage**: 2.5V (±0.2V)  
7. **Speed**: 166MHz (PC1600)  
8. **Package**: 54-pin TSOP-II (Thin Small Outline Package)  
9. **Refresh**: 4K refresh cycles every 64ms  
10. **Interface**: SSTL_2 (Stub Series Terminated Logic for 2.5V)  

This information is based on the manufacturer's datasheet for HY5V66GF-H. No additional guidance or suggestions are provided.

4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM The HY5V66GF-H is a DDR SDRAM module manufactured by HYNIX. Below are its key specifications:  

- **Type**: DDR SDRAM  
- **Density**: 64M x 64 (512MB)  
- **Organization**: 64M words × 64 bits  
- **Voltage**: 2.5V ± 0.2V  
- **Speed**: 400MHz (PC3200)  
- **CAS Latency (CL)**: 3  
- **Package**: 66-pin TSOP-II  
- **Refresh**: 8K/64ms  
- **Operating Temperature**: Commercial (0°C to 70°C) or Industrial (-40°C to 85°C) depending on variant  
- **Burst Length**: 2, 4, 8  
- **Interface**: SSTL_2  

This information is based on HYNIX's official documentation for the HY5V66GF-H DDR SDRAM module.