HY5V66ELF6P-PManufacturer: HYNIX 64Mb Synchronous DRAM based on 1M x 4Bank x16 I/O | |||
Partnumber | Manufacturer | Quantity | Availability |
---|---|---|---|
HY5V66ELF6P-P,HY5V66ELF6PP | HYNIX | 3698 | In Stock |
Description and Introduction
64Mb Synchronous DRAM based on 1M x 4Bank x16 I/O The **HY5V66ELF6P-P** is a high-performance **512Mb (64M x 8-bit) DDR SDRAM** electronic component designed for applications requiring fast data transfer rates and reliable memory performance. Operating at a **166MHz clock frequency (333Mbps/pin)**, it supports **Double Data Rate (DDR) technology**, enabling efficient data processing in computing, networking, and embedded systems.  
This component features a **2.5V ± 0.2V power supply**, ensuring low power consumption while maintaining high-speed operation. Its **synchronous interface** allows precise timing control, making it suitable for systems that demand strict synchronization. The **LVTTL-compatible inputs and outputs** enhance compatibility with various digital circuits.   The **HY5V66ELF6P-P** comes in a **66-pin TSOP-II package**, providing a compact footprint for space-constrained designs. With **auto-refresh and self-refresh modes**, it optimizes power efficiency in standby operations. Additionally, it supports **burst lengths of 2, 4, or 8**, offering flexibility in data access patterns.   Engineers and designers often integrate this DDR SDRAM into **servers, routers, industrial automation, and consumer electronics**, where high bandwidth and low latency are critical. Its robust design ensures stable performance across a wide range of operating temperatures, making it a dependable choice for demanding applications. |
For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]
Specializes in hard-to-find components chips