64Mb Synchronous DRAM based on 1M x 4Bank x16 I/O The **HY5V66ELF6P-H** is a high-performance, low-power **256Mb (32M x 8-bit) CMOS Synchronous DRAM (SDRAM)** designed for applications requiring fast data access and efficient power consumption. Operating at a voltage of **3.3V**, this component is widely used in embedded systems, networking equipment, and consumer electronics where reliable memory performance is critical.  

Featuring a **166MHz clock frequency**, the HY5V66ELF6P-H supports **burst read and write operations**, enhancing data throughput for high-speed processing. Its **fully synchronous pipeline architecture** ensures seamless integration with modern microprocessors and controllers. Additionally, the device incorporates **auto refresh and self-refresh modes**, optimizing power efficiency in standby or low-activity states.  

The SDRAM is housed in a **54-pin TSOP-II package**, making it suitable for space-constrained designs while maintaining robust thermal and electrical performance. With **CAS latency options (CL=2, 3)** and a **4-bank internal architecture**, it provides flexibility for various system configurations.  

Engineers favor the HY5V66ELF6P-H for its **balance of speed, power efficiency, and reliability**, making it a practical choice for industrial, automotive, and telecommunications applications where consistent memory performance is essential.