64Mb Synchronous DRAM based on 1M x 4Bank x16 I/O The **HY5V66ELF6P-7** is a high-performance **256Mb (32M x 8-bit) CMOS Synchronous DRAM (SDRAM)** designed for applications requiring fast data access and efficient memory management. Operating at a **3.3V supply voltage**, this component supports a **166MHz clock frequency**, ensuring reliable performance in high-speed systems.  

Featuring a **fully synchronous pipeline architecture**, the HY5V66ELF6P-7 enables seamless integration with modern processors and controllers. Its **burst read/write operations** and **programmable burst lengths** (1, 2, 4, 8, or full page) enhance data throughput, making it suitable for embedded systems, networking equipment, and consumer electronics.  

The device complies with **JEDEC standards**, ensuring compatibility with industry specifications. It also includes **auto refresh and self-refresh modes**, reducing power consumption in standby or low-activity scenarios. With a **4-bank internal architecture**, it optimizes memory access efficiency while minimizing latency.  

Packaged in a **54-pin TSOP-II** form factor, the HY5V66ELF6P-7 offers a compact solution for space-constrained designs. Its robust construction and adherence to industrial-grade reliability standards make it a dependable choice for demanding applications.  

Engineers and designers seeking a **cost-effective, high-speed SDRAM solution** will find the HY5V66ELF6P-7 well-suited for their memory subsystem requirements.