64Mb Synchronous DRAM based on 1M x 4Bank x16 I/O The **HY5V66EF6P-H** is a high-performance **256Mb (32M x 8-bit) CMOS Synchronous DRAM (SDRAM)** designed for applications requiring fast data access and efficient power consumption. Operating at a **3.3V power supply**, this component is optimized for systems where reliable memory performance is critical, such as networking equipment, embedded systems, and industrial automation.  

Featuring a **double-data-rate (DDR) interface**, the HY5V66EF6P-H supports data transfer rates up to **266MHz (DDR266)**, ensuring high-speed operation for demanding computing environments. Its **8-bit prefetch architecture** enhances throughput, while **auto-refresh and self-refresh modes** contribute to power efficiency in low-power applications.  

The device is organized in **four internal banks**, allowing concurrent operations for improved efficiency. It complies with **JEDEC standards**, ensuring compatibility with industry specifications. With a **CAS latency of 2.5 cycles**, it balances speed and stability, making it suitable for both consumer electronics and industrial-grade solutions.  

Packaged in a **66-pin TSOP-II** form factor, the HY5V66EF6P-H offers a compact footprint, ideal for space-constrained designs. Its robust performance, low power consumption, and industry-standard compliance make it a dependable choice for modern memory applications.