64Mb Synchronous DRAM based on 1M x 4Bank x16 I/O The part **HY5V66EF6P-7** is a **64Mb (4M x 16) Synchronous DRAM (SDRAM)** manufactured by **Hynix Semiconductor**. Below are its key specifications:

### **General Specifications:**
- **Manufacturer:** Hynix (now SK Hynix)  
- **Type:** Synchronous DRAM (SDRAM)  
- **Density:** 64Mb (4M words × 16 bits)  
- **Organization:** 4 banks × 1M words × 16 bits  
- **Voltage:** **3.3V ± 0.3V**  

### **Speed & Timing:**
- **Speed Grade:** **-7** (7ns access time, **143MHz clock frequency**)  
- **CAS Latency (CL):** **2 & 3** (programmable)  
- **Burst Length:** 1, 2, 4, 8, or full page  

### **Interface & Packaging:**
- **Package:** **54-pin TSOP-II** (400mil width)  
- **I/O:** **Single Data Rate (SDR)**  
- **Refresh:** **4,096 refresh cycles / 64ms** (auto-refresh & self-refresh supported)  

### **Features:**
- **Auto Precharge**  
- **Programmable Burst Length**  
- **Power-Down Mode**  
- **Operating Temperature:** Commercial (**0°C to +70°C**)  

This information is sourced from the official Hynix datasheet for **HY5V66EF6P-7**. No additional guidance or interpretation is provided.