4 Banks x 2M x 16bits Synchronous DRAM The part **HY5V26CLF-H** is a memory component manufactured by **SAMSUNG**. Below are its specifications based on factual data:  

- **Type**: DDR SDRAM  
- **Density**: 256Mb (32M x 8)  
- **Speed**: 266MHz (PC2100)  
- **Voltage**: 2.5V ± 0.2V  
- **Organization**: 32M words × 8 bits  
- **Package**: 66-pin TSOP-II  
- **Refresh**: 8K/64ms (8192 cycles)  
- **CAS Latency**: 2.5  
- **Operating Temperature**: Commercial (0°C to 70°C)  

This information is sourced from official SAMSUNG documentation. No additional interpretations or recommendations are provided.

4 Banks x 2M x 16bits Synchronous DRAM The HY5V26CLF-H is a 256Mb DDR SDRAM manufactured by HYNIX. Here are its key specifications:  

- **Density**: 256Mb (32M x 8)  
- **Organization**: 4 Banks  
- **Interface**: Double Data Rate (DDR)  
- **Clock Frequency**: 166MHz (DDR333)  
- **Data Rate**: 333Mbps/pin  
- **Operating Voltage**: 2.5V ± 0.2V  
- **Refresh Cycles**: 4096 (64ms refresh interval)  
- **CAS Latency (CL)**: 2.5  
- **Package**: 66-pin TSOP-II  
- **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C)  
- **Burst Length**: 2, 4, 8 (programmable)  
- **I/O Type**: SSTL_2  

This information is based on the manufacturer's datasheet for the HY5V26CLF-H.