512MBit MOBILE SDR SDRAMs based on 8M x 4Bank x16I/O The **HY5S7B6ALFP-H** is a high-performance **256Mb Synchronous DRAM (SDRAM)** component designed for applications requiring fast data access and efficient memory management. Operating at a **3.3V** supply voltage, this SDRAM features a **synchronous interface**, enabling precise timing with the system clock for improved performance in high-speed computing environments.  

With a **4-bank architecture**, the HY5S7B6ALFP-H supports **burst read and write operations**, enhancing data throughput for demanding applications such as networking equipment, embedded systems, and industrial automation. Its **16-bit data bus** ensures efficient data transfer, while **auto refresh and self-refresh modes** help maintain data integrity with minimal power consumption.  

The component is housed in a **54-pin TSOP-II package**, offering a compact footprint suitable for space-constrained designs. Its **industrial-grade temperature range (-40°C to +85°C)** ensures reliable operation in harsh environments, making it a versatile choice for rugged applications.  

Engineers and designers favor the HY5S7B6ALFP-H for its **low latency, high-speed operation (up to 166MHz)**, and compatibility with standard SDRAM controllers. Whether used in telecommunications, automotive systems, or consumer electronics, this SDRAM delivers dependable performance for memory-intensive tasks.