128M(8Mx16) GDDR SDRAM The part **HY5DV281622DT-5** is a DDR SDRAM memory module manufactured by **Hynix**. Below are its key specifications:

1. **Type**: DDR SDRAM  
2. **Density**: 256Mb (32M x 8)  
3. **Organization**: 16M words × 16 bits × 2 banks  
4. **Voltage**: 2.5V ± 0.2V  
5. **Speed**: -5 (200MHz, CL=2.5)  
6. **Package**: 66-pin TSOP-II  
7. **Refresh**: 8K/64ms (8192 cycles)  
8. **Interface**: SSTL_2  
9. **Operating Temperature**: Commercial (0°C to 70°C)  

This is a standard DDR1 memory chip commonly used in older computing and embedded systems.

128M(8Mx16) GDDR SDRAM The **HY5DV281622DT-5** is a high-performance **256Mb Double Data Rate Synchronous DRAM (DDR SDRAM)** module designed for applications requiring fast data transfer rates and efficient memory management. Operating at a **clock frequency of 200MHz (400Mbps/pin)**, this component is built on advanced semiconductor technology, ensuring reliable performance in computing, networking, and embedded systems.  

Featuring a **16-bit data bus**, the HY5DV281622DT-5 supports **CAS latencies of 2, 2.5, and 3**, providing flexibility in system design. Its **2.5V operating voltage** and **low-power architecture** make it suitable for energy-sensitive applications while maintaining high-speed data processing. The module adheres to **JEDEC DDR SDRAM standards**, ensuring compatibility with industry specifications.  

With a **4-bank internal architecture**, this DRAM enables efficient memory access and reduced latency. It also includes features such as **auto-refresh and self-refresh modes**, enhancing power efficiency during idle states. The **TSOP-II package** ensures compact integration into various PCB designs.  

Ideal for **servers, workstations, and high-performance embedded systems**, the HY5DV281622DT-5 balances speed, power efficiency, and reliability, making it a dependable choice for modern memory-intensive applications.

128M(8Mx16) GDDR SDRAM The part **HY5DV281622DT-5** is manufactured by **HYUNDAI** and has the following specifications:  

- **Type**: DDR SDRAM  
- **Density**: 256Mb (16M x 16)  
- **Organization**: 4 Banks  
- **Voltage**: 2.5V ± 0.2V  
- **Speed**: -5 (200MHz @ CL=2, 166MHz @ CL=2.5)  
- **Package**: 66-pin TSOP-II  
- **Interface**: LVTTL  
- **Refresh**: 4096 cycles/64ms  
- **Operating Temperature**: Commercial (0°C to 70°C)  

This is a synchronous DRAM module designed for high-speed data transfer applications.