HY5DV281622DT-4

128M(8Mx16) GDDR SDRAM The **HY5DV281622DT-4** is a high-performance **256Mb (16M x 16) DDR SDRAM** electronic component designed for applications requiring fast data transfer and efficient memory management. Manufactured with advanced semiconductor technology, this device operates at a **2.5V power supply** and supports **double data rate (DDR) architecture**, enabling high-speed data access with reduced power consumption.  

Featuring a **4-bank architecture**, the HY5DV281622DT-4 provides a **synchronous interface** with a clock frequency of up to **200MHz**, delivering a peak bandwidth of **400Mbps per pin**. Its **CAS latency** options (2, 2.5, and 3) allow flexibility in system timing configurations, making it suitable for a variety of computing and embedded applications.  

The component is housed in a **66-pin TSOP-II package**, ensuring compact integration while maintaining reliable thermal and electrical performance. It is commonly used in **networking equipment, consumer electronics, and industrial systems** where high-speed data processing and low-latency memory access are critical.  

With its robust design and adherence to industry standards, the HY5DV281622DT-4 offers a dependable solution for memory-intensive applications, balancing speed, efficiency, and scalability. Its compatibility with DDR SDRAM protocols ensures seamless integration into modern electronic systems.

128M(8Mx16) GDDR SDRAM