512M(16Mx32) GDDR SDRAM # Introduction to the HY5DS113222FMP-28 Electronic Component  

The **HY5DS113222FMP-28** is a high-performance **Double Data Rate 2 (DDR2) Synchronous Dynamic Random-Access Memory (SDRAM)** module designed for applications requiring fast data transfer and reliable performance. This component operates at a **clock frequency of 400 MHz (800 Mbps/pin)**, making it suitable for computing systems, networking equipment, and embedded applications where speed and efficiency are critical.  

Featuring a **128Mb x 32 organization**, the HY5DS113222FMP-28 provides a balanced combination of capacity and bandwidth, supporting high-speed data processing. It adheres to **JEDEC DDR2 standards**, ensuring compatibility with industry specifications. The module operates at a **low voltage of 1.8V**, reducing power consumption while maintaining performance.  

Key characteristics include **4 internal banks for concurrent operations**, **CAS latency (CL) of 3, 4, or 5 cycles**, and **auto-refresh and self-refresh modes** for power management. Its **fine-pitch FBGA (Fine Ball Grid Array) packaging** enhances signal integrity and thermal dissipation, making it ideal for compact and high-density designs.  

Engineers and designers often select the HY5DS113222FMP-28 for its **reliability, low latency, and energy efficiency**, making it a preferred choice in industrial, automotive, and consumer electronics applications.

512M(16Mx32) GDDR SDRAM The part **HY5DS113222FMP-28** is a DDR SDRAM manufactured by **Hynix**. Here are its specifications based on Ic-phoenix technical data files:  

- **Type**: DDR SDRAM  
- **Density**: 512Mb  
- **Organization**: 16M x 32  
- **Speed**: 400MHz (PC3200)  
- **Voltage**: 2.5V  
- **Package**: 86-ball FBGA  
- **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C)  
- **Refresh**: 8K/64ms  
- **CAS Latency**: 2.5  

This information is sourced from Hynix's official documentation. No additional guidance or interpretation is provided.