The HY57V641620HGLT-HI is a high-performance synchronous dynamic random-access memory (SDRAM) component designed for applications requiring fast data access and efficient memory management. This 64Mb (4M x 16-bit) SDRAM operates at a voltage range of 3.3V and is built using advanced CMOS technology, ensuring low power consumption while maintaining high-speed performance.  

With a clock frequency of up to 166MHz, the HY57V641620HGLT-HI supports burst read and write operations, making it suitable for embedded systems, networking equipment, and consumer electronics. Its synchronous interface allows precise timing control, enabling seamless integration with high-speed processors and controllers.  

The device features fully programmable burst lengths and supports auto-refresh and self-refresh modes, enhancing power efficiency in standby conditions. Its compact TSOP-II package ensures space-efficient PCB design, making it ideal for applications with size constraints.  

Engineers and developers favor the HY57V641620HGLT-HI for its reliability, low latency, and compatibility with industry-standard memory architectures. Whether used in telecommunications, industrial automation, or multimedia systems, this SDRAM delivers consistent performance under demanding operational conditions.  

For detailed specifications, always refer to the manufacturer’s datasheet to ensure proper implementation in your design.