64Mb Synchronous DRAM based on 1M x 4Bank x16 I/O The HY57V641620ET-6 is a 64Mbit (4M x 16) Synchronous DRAM (SDRAM) manufactured by HYNIX. Here are its key specifications:  

- **Organization**: 4M words × 16 bits  
- **Voltage Supply**: 3.3V ± 0.3V  
- **Operating Frequency**: Up to 166MHz (6ns clock cycle time)  
- **Access Time**: 5.4ns (CL=3 at 166MHz)  
- **Refresh Cycles**: 4096 refresh cycles / 64ms  
- **CAS Latency (CL)**: Programmable (2, 3)  
- **Burst Length**: 1, 2, 4, 8, or full page  
- **Interface**: LVTTL compatible  
- **Package**: 54-pin TSOP-II (400mil width)  
- **Operating Temperature**: Commercial (0°C to 70°C) or Industrial (-40°C to 85°C)  

This SDRAM is commonly used in applications requiring high-speed data transfer, such as networking, telecommunications, and computing systems.

64Mb Synchronous DRAM based on 1M x 4Bank x16 I/O The HY57V641620ET-6 is a 64Mbit (4M x 16) SDRAM manufactured by Hynix (now SK Hynix). Here are its key specifications:

1. **Organization**: 4M words × 16 bits  
2. **Voltage Supply**: 3.3V ± 0.3V  
3. **Speed Grades**: -6 (166MHz), -7 (143MHz)  
4. **Refresh Cycles**: 4096 refresh cycles / 64ms  
5. **CAS Latency**: 2 or 3 (programmable)  
6. **Burst Length**: 1, 2, 4, 8, or full page  
7. **Interface**: LVTTL-compatible  
8. **Package**: 54-pin TSOP-II  
9. **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)  

This SDRAM is commonly used in networking, telecommunications, and embedded systems.