4 Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM The HY57V561620CT-7 is a synchronous DRAM (SDRAM) manufactured by Hynix (now SK Hynix). Here are its key specifications:

1. **Density**: 256Mb (4 banks × 16Mb × 4)
2. **Organization**: 4M words × 16 bits × 4 banks
3. **Voltage**: 3.3V ± 0.3V
4. **Speed**: 7ns (143MHz clock frequency)
5. **Interface**: LVTTL-compatible
6. **Burst Length**: 1, 2, 4, 8, or full page
7. **CAS Latency**: 2 or 3 (programmable)
8. **Refresh**: 4096 refresh cycles every 64ms (auto-refresh or self-refresh)
9. **Package**: 54-pin TSOP-II
10. **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C) options.

These specifications are based on the datasheet for the HY57V561620CT-7 SDRAM.

4 Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM The HY57V561620CT-7 is a synchronous DRAM (SDRAM) manufactured by HYNIX. Here are its key specifications:

- **Organization**: 4 Banks x 4M x 16-bit  
- **Density**: 64Mb (4M x 16)  
- **Voltage**: 3.3V ± 0.3V  
- **Speed**: 7ns (143MHz)  
- **Package**: 54-pin TSOP II  
- **Refresh**: 4096 cycles (64ms refresh interval)  
- **Interface**: LVTTL  
- **Burst Length**: 1, 2, 4, 8, or full page  
- **CAS Latency**: 2 or 3  
- **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)  
- **Data Rate**: Synchronous (all signals registered on positive clock edge)  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet.