4 Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM The **HY57V561620CLTP-H** is a high-performance **SDRAM (Synchronous Dynamic Random-Access Memory)** module designed for applications requiring fast data access and efficient memory management. Manufactured using advanced semiconductor technology, this component operates at **3.3V** and offers a storage capacity of **256Mb (16M x 16-bit)**, making it suitable for embedded systems, networking equipment, and industrial electronics.  

Featuring a **synchronous interface**, the HY57V561620CLTP-H supports clock frequencies up to **166MHz**, ensuring rapid data transfer rates. Its **CAS latency** and **burst mode** capabilities enhance performance in high-speed operations, while the **auto-refresh and self-refresh** functions optimize power consumption. The device is packaged in a **54-pin TSOP-II** form factor, providing a compact and reliable solution for space-constrained designs.  

With robust **error correction** and **low-power standby modes**, this SDRAM is ideal for applications demanding both speed and energy efficiency. Its compatibility with industry-standard timing protocols ensures seamless integration into existing systems. Engineers and developers favor the HY57V561620CLTP-H for its balance of performance, reliability, and cost-effectiveness in memory-intensive applications.

4 Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM The **HY57V561620CLTP-H** is a high-performance synchronous dynamic random-access memory (SDRAM) component designed for applications requiring fast data access and efficient power consumption. Manufactured using advanced semiconductor technology, this 256Mb (16Mx16) SDRAM operates at a voltage of 3.3V, making it suitable for a wide range of embedded systems, networking equipment, and industrial electronics.  

Featuring a double-data-rate (DDR) architecture, the **HY57V561620CLTP-H** supports burst read and write operations, enhancing data throughput for high-speed processing. Its internal architecture is organized into four banks, allowing concurrent access and improved system performance. With a clock frequency of up to 166MHz, it ensures rapid data transfer rates, meeting the demands of real-time computing applications.  

The component is housed in a compact **TSOP-II** package, ensuring compatibility with space-constrained designs while maintaining reliable thermal performance. Its low-power operation and auto-refresh capabilities contribute to energy efficiency, making it ideal for battery-powered and power-sensitive devices.  

Engineers and designers favor the **HY57V561620CLTP-H** for its balance of speed, capacity, and reliability, making it a preferred choice in telecommunications, automotive systems, and consumer electronics where robust memory performance is essential.