HY57V561620CLTP-H

4 Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM The **HY57V561620CLTP-H** is a high-performance synchronous dynamic random-access memory (SDRAM) component designed for applications requiring fast data access and efficient power consumption. Manufactured using advanced semiconductor technology, this 256Mb (16Mx16) SDRAM operates at a voltage of 3.3V, making it suitable for a wide range of embedded systems, networking equipment, and industrial electronics.  

Featuring a double-data-rate (DDR) architecture, the **HY57V561620CLTP-H** supports burst read and write operations, enhancing data throughput for high-speed processing. Its internal architecture is organized into four banks, allowing concurrent access and improved system performance. With a clock frequency of up to 166MHz, it ensures rapid data transfer rates, meeting the demands of real-time computing applications.  

The component is housed in a compact **TSOP-II** package, ensuring compatibility with space-constrained designs while maintaining reliable thermal performance. Its low-power operation and auto-refresh capabilities contribute to energy efficiency, making it ideal for battery-powered and power-sensitive devices.  

Engineers and designers favor the **HY57V561620CLTP-H** for its balance of speed, capacity, and reliability, making it a preferred choice in telecommunications, automotive systems, and consumer electronics where robust memory performance is essential.

4 Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM