4 Banks x 2M x 16bits Synchronous DRAM The HY57V281620AT-6 is a 128Mb (16M x 8-bit or 8M x 16-bit) Synchronous DRAM (SDRAM) manufactured by Hynix (now SK Hynix).  

### Key Specifications:  
- **Density**: 128Mb  
- **Organization**:  
  - 16M words × 8 bits  
  - 8M words × 16 bits  
- **Voltage**: 3.3V ± 0.3V  
- **Speed**: 6ns (166MHz)  
- **Package**: 54-pin TSOP II  
- **Refresh**: 4096 refresh cycles / 64ms  
- **Burst Length**: 1, 2, 4, 8, or full page  
- **CAS Latency**: 2, 3  
- **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)  

This SDRAM is commonly used in networking, telecommunications, and computing applications.

4 Banks x 2M x 16bits Synchronous DRAM The HY57V281620AT-6 is a 128Mbit (4Mx32) Synchronous DRAM (SDRAM) manufactured by HYNIX. Below are its key specifications:

- **Organization**: 4M words × 32 bits  
- **Density**: 128Mbit  
- **Voltage Supply**: 3.3V ± 0.3V  
- **Speed**: 166MHz (6ns access time)  
- **Interface**: Fully synchronous with all signals referenced to a positive clock edge  
- **Burst Length**: 1, 2, 4, 8, or full page  
- **CAS Latency**: 2 or 3 programmable  
- **Refresh Cycles**: 4096 refresh cycles / 64ms  
- **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)  
- **Package**: 54-pin TSOP-II (400mil width)  
- **Features**: Auto refresh and self refresh modes, programmable burst length, and sequential or interleaved burst mode.  

This SDRAM is commonly used in applications requiring high-speed data transfer, such as networking equipment, graphics cards, and embedded systems.