2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM The HY57V161610ET-8 is a 256Mb (16Mx16) Synchronous DRAM (SDRAM) manufactured by Hynix. Here are its key specifications:  

- **Organization**: 16M words × 16 bits  
- **Density**: 256 Megabits (16M × 16)  
- **Voltage**: 3.3V ± 0.3V  
- **Speed**: 8ns (125MHz) access time  
- **Package**: 54-pin TSOP II  
- **Refresh**: 4,096 refresh cycles / 64ms  
- **Burst Length**: 1, 2, 4, 8, or full page  
- **CAS Latency**: 2 or 3 (programmable)  
- **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)  
- **Interface**: LVTTL  

This SDRAM is commonly used in networking, telecommunications, and embedded systems.