2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM The HY57V161610ET-6 is a 16M x 16-bit synchronous DRAM (SDRAM) manufactured by HYNIX. Here are its key specifications:

- **Organization**: 16M words × 16 bits  
- **Voltage Supply**: 3.3V ± 0.3V  
- **Package**: 54-pin TSOP-II  
- **Speed**: 6ns (166 MHz)  
- **Refresh**: 4096 refresh cycles / 64ms  
- **Operating Temperature**: Commercial (0°C to 70°C) or Industrial (-40°C to 85°C)  
- **Interface**: LVTTL  
- **Burst Length**: 1, 2, 4, 8, or full page  
- **CAS Latency**: 2 or 3 programmable  
- **Auto Precharge**: Supported  
- **Data Mask**: Byte-wise control (UDQM, LDQM)  

This SDRAM is commonly used in applications requiring high-speed memory, such as networking equipment and embedded systems.