4 Mbit (512K x 8/256K x 16) Low Voltage Flash Memory The HY29LV400TT-55 is a 4Mbit (512K x 8-bit or 256K x 16-bit) Flash memory device manufactured by HYNIX. Here are its key specifications:

- **Organization**:  
  - 512K x 8-bit or 256K x 16-bit  
- **Supply Voltage**:  
  - 2.7V to 3.6V  
- **Access Time**:  
  - 55ns  
- **Operating Current**:  
  - 20mA (typical read current)  
  - 30mA (typical program/erase current)  
- **Standby Current**:  
  - 1µA (typical)  
- **Sector Architecture**:  
  - Eight 4K-word (8K-byte) boot sectors  
  - One 24K-word (48K-byte) boot sector  
  - One 32K-word (64K-byte) sector  
  - Two 64K-word (128K-byte) sectors  
- **Program/Erase Endurance**:  
  - 100,000 cycles (minimum)  
- **Data Retention**:  
  - 10 years (minimum)  
- **Package**:  
  - 48-pin TSOP (Type I)  
- **Interface**:  
  - Supports JEDEC-standard commands  
  - Compatible with x8/x16 configurations  
- **Operating Temperature Range**:  
  - Commercial (0°C to +70°C)  
  - Industrial (-40°C to +85°C)  

This device is designed for high-performance, low-power applications requiring non-volatile storage.

4 Mbit (512K x 8/256K x 16) Low Voltage Flash Memory The HY29LV400TT-55 is a 4Mbit (512K x 8-bit or 256K x 16-bit) CMOS flash memory device manufactured by HY (Hynix). Here are its key specifications:

- **Organization**:  
  - 512K x 8-bit or 256K x 16-bit  
- **Supply Voltage**:  
  - 2.7V to 3.6V (single power supply)  
- **Access Time**:  
  - 55ns  
- **Operating Current**:  
  - 20mA (typical read current)  
  - 30mA (typical program/erase current)  
- **Standby Current**:  
  - 1µA (typical)  
- **Sector Architecture**:  
  - Uniform 64Kbyte sectors (8 sectors total)  
- **Endurance**:  
  - 100,000 program/erase cycles per sector (minimum)  
- **Data Retention**:  
  - 20 years (minimum)  
- **Package**:  
  - 48-pin TSOP (Type I)  
- **Interface**:  
  - Supports both 8-bit and 16-bit modes  
- **Operating Temperature**:  
  - Commercial: 0°C to +70°C  
  - Industrial: -40°C to +85°C  

The device supports standard flash memory operations, including read, program, and erase, with a command-based interface.