8 Megabit (1Mx8/512Kx16), 5 Volt-only, Flash Memory The HY29F800ATT-70 is a flash memory device manufactured by HYNIX. Below are its key specifications:

1. **Memory Type**: Parallel NOR Flash  
2. **Density**: 8 Mbit (1M x 8-bit / 512K x 16-bit)  
3. **Supply Voltage**: 5V ± 10%  
4. **Access Time**: 70 ns  
5. **Organization**:  
   - 8-bit mode: 1M x 8  
   - 16-bit mode: 512K x 16  
6. **Interface**: Parallel (Address and Data buses)  
7. **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)  
8. **Package**: 48-pin TSOP (Thin Small Outline Package)  
9. **Sector Architecture**:  
   - Uniform 64K-byte sectors  
   - One 16K-byte and two 8K-byte boot sectors (optional)  
10. **Endurance**: 100,000 program/erase cycles per sector  
11. **Data Retention**: 10 years minimum  

This information is based solely on the manufacturer's specifications.

8 Megabit (1Mx8/512Kx16), 5 Volt-only, Flash Memory The HY29F800ATT-70 is a flash memory chip manufactured by Hyundai (now SK Hynix). Here are its key specifications:  

- **Memory Type**: NOR Flash  
- **Density**: 8 Mbit (1M x 8-bit or 512K x 16-bit)  
- **Supply Voltage**: 5V ± 10%  
- **Access Time**: 70 ns  
- **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C)  
- **Package**: 48-pin TSOP (Thin Small Outline Package)  
- **Interface**: Parallel (Asynchronous)  
- **Sector Architecture**: Uniform 16 KB sectors  
- **Endurance**: 100,000 program/erase cycles  
- **Data Retention**: 10 years  

This chip is designed for embedded systems requiring reliable non-volatile storage.