8 Megabit (1Mx8/512Kx16), 5 Volt-only, Flash Memory The HY29F800ATG-70 is a flash memory chip manufactured by HYNIX. Here are its key specifications:

- **Memory Type**: NOR Flash
- **Density**: 8 Mbit (1M x 8-bit or 512K x 16-bit)
- **Supply Voltage**: 5V ± 10%
- **Access Time**: 70 ns
- **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)
- **Package**: 48-pin TSOP (Thin Small Outline Package)
- **Interface**: Parallel (Asynchronous)
- **Sector Architecture**: Uniform 16 KB sectors
- **Endurance**: 100,000 program/erase cycles per sector
- **Data Retention**: 10 years minimum
- **Command Set**: JEDEC-compatible
- **Power Consumption**:
  - Active Read Current: 30 mA (typical)
  - Standby Current: 1 µA (typical)

This chip is designed for applications requiring reliable, high-speed non-volatile storage.

8 Megabit (1Mx8/512Kx16), 5 Volt-only, Flash Memory The HY29F800ATG-70 is a flash memory chip manufactured by Winbond. Here are its key specifications:

1. **Memory Type**: 8 Mbit (1M x 8 / 512K x 16) Flash Memory  
2. **Speed**: 70 ns access time  
3. **Voltage Supply**: 5V ± 10%  
4. **Organization**:  
   - Byte Mode: 1,048,576 words x 8 bits  
   - Word Mode: 524,288 words x 16 bits  
5. **Interface**: Parallel  
6. **Technology**: CMOS  
7. **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)  
8. **Package**: 48-pin TSOP (Thin Small Outline Package)  
9. **Features**:  
   - Single power supply operation  
   - Sector erase architecture (uniform or boot block)  
   - Embedded algorithms for programming and erase  
   - High reliability with 100,000 erase/program cycles  

This information is based on Winbond's datasheet for the HY29F800ATG-70.