4 Megabit (512Kx8/256Kx16) 5 Volt-only Flash Memory The HY29F400ABT-70 is a 4Mbit (512K x 8-bit or 256K x 16-bit) Flash memory device manufactured by Hyundai (HY). Key specifications include:  

- **Organization**:  
  - 512K x 8-bit or 256K x 16-bit  
- **Supply Voltage**:  
  - 5V ± 10%  
- **Access Time**:  
  - 70ns  
- **Operating Current**:  
  - 30mA (typical active read)  
  - 50mA (typical program/erase)  
- **Standby Current**:  
  - 100µA (max)  
- **Sector Architecture**:  
  - Eight 8KWord (16-bit) or 16KByte (8-bit) sectors  
  - One 16KWord (32KByte) sector  
  - One 224KWord (448KByte) sector  
- **Endurance**:  
  - 100,000 program/erase cycles (min)  
- **Data Retention**:  
  - 10 years (min)  
- **Package**:  
  - 48-pin TSOP (Thin Small Outline Package)  
- **Interface**:  
  - Compatible with JEDEC standards  

The device supports both 8-bit and 16-bit data bus configurations and features a command-driven interface for programming and erasure.

4 Megabit (512Kx8/256Kx16) 5 Volt-only Flash Memory The HY29F400ABT-70 is a 4Mbit (512K x 8-bit or 256K x 16-bit) Flash memory device manufactured by Hynix. Key specifications include:  

- **Organization**:  
  - 512K x 8-bit or 256K x 16-bit  
- **Supply Voltage**:  
  - 5V ± 10%  
- **Access Time**:  
  - 70ns  
- **Operating Current**:  
  - 30mA (typical)  
- **Standby Current**:  
  - 1µA (typical)  
- **Sector Architecture**:  
  - Eight 64Kbyte sectors  
- **Endurance**:  
  - 100,000 program/erase cycles  
- **Data Retention**:  
  - 10 years  
- **Package**:  
  - 44-pin TSOP (Thin Small Outline Package)  
- **Interface**:  
  - Compatible with JEDEC standards  
- **Operating Temperature Range**:  
  - Commercial (0°C to +70°C)  

The device supports both byte and word modes for flexible system integration.