512K x 8-bit CMOS 5.0 volt-only, Sector Erase Flash Memory The HY29F040AT-70 is a 5V-only, 512K x 8-bit Flash Memory manufactured by HYNIX. Below are its key specifications:

1. **Memory Organization**: 512K x 8-bit  
2. **Supply Voltage**: 5V ± 10%  
3. **Access Time**: 70ns  
4. **Sector Architecture**:  
   - Eight 64K-byte sectors  
5. **Operating Current**:  
   - 30mA (typical active read current)  
   - 50mA (typical program/erase current)  
6. **Standby Current**: 1µA (typical)  
7. **Endurance**: 100,000 program/erase cycles per sector  
8. **Data Retention**: 10 years  
9. **Package**: 32-pin TSOP (Thin Small Outline Package)  
10. **Interface**: Parallel  
11. **Operating Temperature Range**:  
    - Commercial: 0°C to +70°C  
    - Industrial: -40°C to +85°C  
12. **Program/Erase Voltage**: 5V (no additional high voltage required)  

These specifications are based on the manufacturer's datasheet. For detailed electrical characteristics or timing diagrams, refer to the official documentation.

512K x 8-bit CMOS 5.0 volt-only, Sector Erase Flash Memory The HY29F040AT-70 is a 512K x 8-bit (4Mbit) CMOS flash memory manufactured by Hyundai (now SK Hynix). Key specifications include:  

- **Organization**: 512K x 8-bit  
- **Supply Voltage**: 5V ± 10%  
- **Access Time**: 70ns  
- **Operating Current**: 30mA (typical)  
- **Standby Current**: 100µA (typical)  
- **Sector Architecture**:  
  - Eight 64Kbyte sectors  
  - Uniform sector size  
- **Programming/Erase Endurance**: 100,000 cycles (minimum)  
- **Data Retention**: 10 years (minimum)  
- **Interface**: Parallel (JEDEC-compatible)  
- **Package**: 32-pin TSOP (Thin Small Outline Package)  

The device supports in-system programming and erasure with a standard 5V power supply. It is designed for applications requiring non-volatile storage with fast read and write operations.

512K x 8-bit CMOS 5.0 volt-only, Sector Erase Flash Memory The HY29F040AT-70 is a 4 Mbit (512K x 8) CMOS flash memory device manufactured by Hyundai (now SK Hynix). Here are its key specifications:

- **Memory Organization**: 512K x 8 bits  
- **Technology**: CMOS flash memory  
- **Access Time**: 70 ns  
- **Supply Voltage**: 5V ± 10%  
- **Operating Current**: 30 mA (typical)  
- **Standby Current**: 100 µA (typical)  
- **Sector Architecture**:  
  - Eight 64K byte sectors  
  - Uniform sector size  
- **Endurance**: 100,000 write/erase cycles per sector (minimum)  
- **Data Retention**: 10 years (minimum)  
- **Package**: 32-pin PLCC or TSOP  
- **Interface**: Parallel (JEDEC-standard)  
- **Operating Temperature Range**: 0°C to +70°C  

The device supports in-system programming and erase operations with standard microprocessor write timings. It is compatible with 5V-only systems and features a hardware write protection mechanism.  

(Note: Hyundai's semiconductor division is now part of SK Hynix.)