512K x 8-bit CMOS 5.0 volt-only, Sector Erase Flash Memory The HY29F040AT-55 is a 4 Mbit (512K x 8) CMOS flash memory device manufactured by HY (Hyundai Electronics). Here are its key specifications:

- **Memory Organization**: 512K x 8 bits  
- **Technology**: CMOS NOR Flash  
- **Supply Voltage**: 5V ± 10%  
- **Access Time**: 55 ns  
- **Operating Current**: 30 mA (typical)  
- **Standby Current**: 100 µA (typical)  
- **Sector Architecture**:  
  - Eight 64Kbyte sectors  
  - 128-byte sector protection  
- **Endurance**: 100,000 write/erase cycles (minimum)  
- **Data Retention**: 10 years (minimum)  
- **Package**: 32-pin TSOP (Thin Small Outline Package)  
- **Operating Temperature Range**:  
  - Commercial: 0°C to +70°C  
  - Industrial: -40°C to +85°C  
- **Interface**: Parallel (address and data buses)  
- **Programming Voltage**: 5V (no additional high voltage required)  
- **Commands**: JEDEC-standard compatible  

This information is based on the manufacturer's datasheet for the HY29F040AT-55.