512K x 8-bit CMOS 5.0 volt-only, Sector Erase Flash Memory The HY29F040AT-12 is a 4 Mbit (512K x 8) CMOS flash memory device manufactured by HY. Here are its key specifications:

1. **Organization**: 512K x 8 bits  
2. **Supply Voltage**: 5V ± 10%  
3. **Access Time**: 120 ns  
4. **Operating Temperature Range**: Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)  
5. **Package**: 32-pin PLCC, TSOP, or PDIP  
6. **Interface**: Parallel  
7. **Sector Architecture**: Uniform 64K-byte sectors (8 sectors total)  
8. **Endurance**: Minimum 100,000 write/erase cycles per sector  
9. **Data Retention**: 10 years minimum  

The device supports standard flash memory operations, including byte programming, sector erase, and chip erase. It is compatible with JEDEC standards.  

No further details or recommendations are provided.