512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash The HY27US08121M is a NAND flash memory chip manufactured by Hynix (now SK Hynix). Below are the key specifications:

1. **Memory Type**: SLC (Single-Level Cell) NAND Flash  
2. **Density**: 1Gb (128MB)  
3. **Organization**:  
   - Page Size: 2KB + 64B spare  
   - Block Size: 128KB (64 pages per block)  
4. **Voltage Supply**:  
   - VCC: 2.7V–3.6V  
5. **Interface**: Asynchronous (8-bit I/O)  
6. **Performance**:  
   - Page Read Time: 25µs (max)  
   - Page Program Time: 200µs (typical)  
   - Block Erase Time: 2ms (typical)  
7. **Endurance**:  
   - 100,000 program/erase cycles per block  
8. **Data Retention**: 10 years (at 25°C)  
9. **Operating Temperature**:  
   - Commercial: 0°C to +70°C  
   - Industrial: -40°C to +85°C  
10. **Package**:  
    - 48-pin TSOP (Standard)  

This information is based on the official datasheet for the HY27US08121M.

512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash