HUF76619D3ST

18A, 100V, 0.087 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET The **HUF76619D3ST** from Fairchild Semiconductor is a high-performance **N-channel MOSFET** designed for power management applications. With a **30V drain-source voltage (VDS)** rating and a **continuous drain current (ID)** of up to **50A**, this component is well-suited for high-current switching in automotive, industrial, and consumer electronics.  

Featuring a low **on-resistance (RDS(on))** of **9.5mΩ (max)**, the HUF76619D3ST minimizes conduction losses, enhancing efficiency in power conversion circuits. Its **logic-level gate drive** capability ensures compatibility with low-voltage control signals, simplifying integration into modern digital systems.  

The MOSFET is housed in a **D2PAK (TO-263)** surface-mount package, offering robust thermal performance and mechanical stability. Its **fast switching speeds** make it ideal for applications such as DC-DC converters, motor drivers, and load switches.  

Built with Fairchild Semiconductor’s advanced process technology, the HUF76619D3ST delivers reliable operation under demanding conditions. Engineers value its combination of **high current handling, low resistance, and compact form factor**, making it a versatile choice for power electronics designs.  

For detailed specifications, always refer to the official datasheet to ensure proper implementation in your circuit.

18A, 100V, 0.087 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET