18A, 100V, 0.087 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET The part HUF76619D3ST is manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor).  

### **FAI (First Article Inspection) Specifications:**  
1. **Manufacturer:** Fairchild Semiconductor (ON Semiconductor)  
2. **Part Number:** HUF76619D3ST  
3. **Description:** N-Channel Power MOSFET  
4. **Key Electrical Characteristics:**  
   - **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
   - **Continuous Drain Current (I_D):** 30A  
   - **R_DS(ON) (Max):** 19mΩ @ V_GS = 10V  
   - **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
   - **Power Dissipation (P_D):** 45W  

5. **Package:** D²PAK (TO-263)  

6. **FAI Documentation Requirements:**  
   - Verification of electrical parameters (V_DSS, I_D, R_DS(ON), etc.)  
   - Package dimensions and mechanical inspection  
   - Material and marking verification  
   - Compliance with datasheet specifications  

For detailed FAI testing, refer to the official datasheet and applicable industry standards (e.g., IPC, MIL-STD-883).

18A, 100V, 0.087 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET

18A, 100V, 0.087 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET The part **HUF76619D3ST** is manufactured by **Fairchild Semiconductor (仙童)**. It is a **N-Channel Power MOSFET** with the following specifications:  

- **Voltage Rating (V_DSS):** 60V  
- **Current Rating (I_D):** 30A (continuous at 25°C)  
- **R_DS(on) (Max):** 19mΩ (at V_GS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W (at 25°C)  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

This MOSFET is designed for **high-efficiency power switching applications**, such as DC-DC converters, motor control, and power management circuits.  

(Note: Fairchild Semiconductor was acquired by ON Semiconductor in 2016, but legacy Fairchild parts like this may still be available.)

18A, 100V, 0.087 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET

18A, 100V, 0.087 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET The **HUF76619D3ST** from Fairchild Semiconductor is a high-performance N-channel MOSFET designed for power management applications. This component is engineered to deliver efficient switching and low on-state resistance, making it suitable for a variety of power conversion and motor control systems.  

With a drain-source voltage (V_DS) rating of 60V and a continuous drain current (I_D) of 30A, the HUF76619D3ST provides robust performance in demanding environments. Its low gate charge and fast switching characteristics help minimize power losses, enhancing overall system efficiency. The device is housed in a TO-252 (DPAK) package, ensuring reliable thermal dissipation and mechanical durability.  

Key features include a low R_DS(on) of 19mΩ (at V_GS = 10V), which reduces conduction losses, and an integrated fast-recovery body diode for improved reverse recovery performance. These attributes make it an excellent choice for DC-DC converters, battery management systems, and automotive applications.  

Fairchild Semiconductor’s HUF76619D3ST is designed to meet stringent industry standards, offering a balance of power handling, efficiency, and thermal stability. Its compact form factor and high reliability make it a preferred solution for engineers seeking optimal power MOSFET performance.

18A, 100V, 0.087 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET

18A, 100V, 0.087 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET The **HUF76619D3ST** from Fairchild Semiconductor is a high-performance **N-channel MOSFET** designed for power management applications. With a **30V drain-source voltage (VDS)** rating and a **continuous drain current (ID)** of up to **50A**, this component is well-suited for high-current switching in automotive, industrial, and consumer electronics.  

Featuring a low **on-resistance (RDS(on))** of **9.5mΩ (max)**, the HUF76619D3ST minimizes conduction losses, enhancing efficiency in power conversion circuits. Its **logic-level gate drive** capability ensures compatibility with low-voltage control signals, simplifying integration into modern digital systems.  

The MOSFET is housed in a **D2PAK (TO-263)** surface-mount package, offering robust thermal performance and mechanical stability. Its **fast switching speeds** make it ideal for applications such as DC-DC converters, motor drivers, and load switches.  

Built with Fairchild Semiconductor’s advanced process technology, the HUF76619D3ST delivers reliable operation under demanding conditions. Engineers value its combination of **high current handling, low resistance, and compact form factor**, making it a versatile choice for power electronics designs.  

For detailed specifications, always refer to the official datasheet to ensure proper implementation in your circuit.

18A, 100V, 0.087 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET