11A, 60V, 0.107 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET?Power MOSFET The **HUF76407D3S** from Fairchild Semiconductor is a high-performance **N-channel Power MOSFET** designed for efficient power management in a variety of applications. Built with advanced trench technology, this component offers low on-resistance (R_DS(on)) and high current-handling capabilities, making it ideal for switching and amplification tasks in power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

With a **30V drain-source voltage (V_DSS)** rating and a continuous drain current (I_D) of **75A**, the HUF76407D3S ensures robust performance in demanding environments. Its low gate charge (Q_g) and fast switching characteristics contribute to reduced power losses, enhancing overall system efficiency.  

The MOSFET is housed in a **TO-263 (D²PAK)** package, providing excellent thermal dissipation and mechanical durability. This makes it suitable for high-power applications where heat management is critical. Additionally, the device features **avalanche energy (E_AS)** and **diode recovery (Q_RR)** specifications that improve reliability in inductive load switching scenarios.  

Engineers and designers favor the HUF76407D3S for its balance of performance, thermal efficiency, and ruggedness, making it a dependable choice for industrial, automotive, and consumer electronics applications.

11A, 60V, 0.107 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET?Power MOSFET