75A, 30V, 0.011 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs The part **HUF76132S3ST** is manufactured by **Infineon**.  

### Key Specifications:  
- **Type**: N-channel Power MOSFET  
- **Package**: TO-263 (D2PAK)  
- **Voltage (VDS)**: 30V  
- **Current (ID)**: 60A  
- **Power Dissipation (PD)**: 83W  
- **RDS(on) (max)**: 3.3 mΩ @ VGS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (VGS)**: ±20V  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +175°C  

This MOSFET is designed for high-efficiency power switching applications.  

(Source: Infineon datasheet for HUF76132S3ST)

75A, 30V, 0.011 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs

75A, 30V, 0.011 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs The **HUF76132S3ST** from Fairchild Semiconductor is a high-performance **N-channel MOSFET** designed for power management applications. This component is built using advanced trench technology, offering low on-resistance and high switching efficiency, making it ideal for demanding circuits such as DC-DC converters, motor drivers, and load switches.  

With a **30V drain-source voltage (VDS)** rating and a **continuous drain current (ID)** of up to **30A**, the HUF76132S3ST delivers robust performance in compact designs. Its low **RDS(ON)** of just **3.2mΩ** (at 10V VGS) minimizes power loss, enhancing energy efficiency in high-current applications. The MOSFET also features a **logic-level gate drive**, ensuring compatibility with low-voltage control signals (as low as 4.5V).  

Packaged in a **TO-263 (D2PAK)** surface-mount form factor, the HUF76132S3ST provides excellent thermal dissipation, supporting reliable operation in high-power environments. Its fast switching characteristics and strong avalanche energy rating further contribute to system durability.  

Engineers favor this MOSFET for its balance of performance, thermal management, and cost-effectiveness, making it a versatile choice for industrial, automotive, and consumer electronics applications where efficiency and reliability are critical.

75A, 30V, 0.011 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs