10A, 30V, 0.013 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET The part **HUF76131SK8T** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Here are its key specifications:

- **Type**: N-channel MOSFET
- **Technology**: TrenchFET™
- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: 30V
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 50A
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 200A
- **Power Dissipation (P_D)**: 125W
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 3.1mΩ (max) at V_GS = 10V
- **Package**: TO-263 (D2PAK)
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +175°C

This MOSFET is designed for high-efficiency power switching applications.

10A, 30V, 0.013 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET

10A, 30V, 0.013 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET **Introduction to the HUF76131SK8T Power MOSFET**  

The HUF76131SK8T from Fairchild Semiconductor is a high-performance N-channel Power MOSFET designed for efficient power management in a variety of applications. With a drain-source voltage (V_DS) rating of 30V and a continuous drain current (I_D) of 50A, this MOSFET is well-suited for switching and amplification tasks in power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

Featuring low on-resistance (R_DS(on)) of just 3.7mΩ at 10V gate drive, the HUF76131SK8T minimizes conduction losses, improving overall system efficiency. Its fast switching characteristics and robust thermal performance make it ideal for high-frequency applications where energy efficiency and heat dissipation are critical.  

Encased in a TO-263 (D2PAK) surface-mount package, the device offers excellent power handling in a compact form factor, facilitating easy integration into modern PCB designs. Additionally, its advanced silicon technology ensures reliable operation under demanding conditions, including high-temperature environments.  

Engineers and designers can leverage the HUF76131SK8T for its balance of performance, efficiency, and durability, making it a dependable choice for power electronics solutions.

10A, 30V, 0.013 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET