56A, 30V, 0.016 Ohm N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs The part **HUF76129S3STK** is manufactured by **FAIRCHILD SEMICONDUCTOR** (now part of ON Semiconductor).  

### Key Specifications:  
- **Type**: N-Channel Power MOSFET  
- **Technology**: TrenchFET®  
- **Voltage Rating (VDS)**: 30V  
- **Current Rating (ID)**: 50A (continuous)  
- **Power Dissipation (PD)**: 125W  
- **RDS(ON) (Max)**: 5.5mΩ @ VGS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (VGS)**: ±20V  
- **Package**: TO-263 (D2PAK)  

This MOSFET is designed for high-efficiency power switching applications.  

(Note: Verify datasheet for exact values as specifications may vary.)

56A, 30V, 0.016 Ohm N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs

56A, 30V, 0.016 Ohm N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs **Introduction to the HUF76129S3STK by Fairchild Semiconductor**  

The HUF76129S3STK is a high-performance power MOSFET designed by Fairchild Semiconductor, now part of ON Semiconductor. This N-channel device is optimized for low-voltage applications, offering efficient power management with minimal conduction losses. With a drain-source voltage (V_DS) rating of 30V and a continuous drain current (I_D) of 40A, it is well-suited for switching applications in power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

Key features of the HUF76129S3STK include an ultra-low on-resistance (R_DS(on)) of 4.5mΩ, enhancing energy efficiency and thermal performance. Its fast switching capability ensures reduced power dissipation, making it ideal for high-frequency operations. The MOSFET is housed in a TO-263 (D2PAK) package, providing robust thermal characteristics and mechanical durability.  

Designed with Fairchild Semiconductor’s advanced trench technology, the HUF76129S3STK delivers reliable performance in demanding environments. Its low gate charge (Q_G) and high avalanche energy tolerance further contribute to system stability. Engineers and designers can leverage this component to improve power efficiency while maintaining compact circuit designs.  

The HUF76129S3STK exemplifies Fairchild’s commitment to quality and innovation in power semiconductor solutions, making it a dependable choice for modern electronic applications.

56A, 30V, 0.016 Ohm N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs

56A, 30V, 0.016 Ohm N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs The part HUF76129S3STK is manufactured by Fairchild Semiconductor (FSC). It is a Power MOSFET with the following key specifications:  

- **Type**: N-Channel  
- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 50A  
- **R_DS(on) (Max)**: 4.5mΩ at V_GS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **Power Dissipation (P_D)**: 125W  
- **Package**: TO-263 (D2PAK)  

This information is based on Fairchild Semiconductor's datasheet for the HUF76129S3STK.

56A, 30V, 0.016 Ohm N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs