20A, 30V, 0.052 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs The part HUF76107D3S is manufactured by FAIRCHILD (now part of ON Semiconductor). Here are its key specifications:

- **Type**: N-Channel Power MOSFET  
- **Voltage (VDS)**: 30V  
- **Current (ID)**: 50A  
- **Power Dissipation (PD)**: 125W  
- **RDS(ON)**: 7.5mΩ (max at VGS = 10V)  
- **Gate Threshold Voltage (VGS(th))**: 1V (min) to 2.5V (max)  
- **Package**: TO-263 (D2PAK)  
- **Applications**: Power switching, DC-DC converters, motor control  

This information is based on the manufacturer's datasheet.

20A, 30V, 0.052 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs

20A, 30V, 0.052 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs The **HUF76107D3S** from Fairchild Semiconductor is a high-performance **N-channel PowerTrench® MOSFET** designed for efficient power management in a variety of applications. This component is optimized for low on-resistance (R_DS(on)) and fast switching, making it ideal for high-efficiency DC-DC converters, motor control, and load switching circuits.  

With a **30V drain-source voltage (V_DSS)** rating and a **continuous drain current (I_D)** of up to **60A**, the HUF76107D3S delivers robust performance in demanding environments. Its advanced **PowerTrench® technology** ensures reduced conduction and switching losses, enhancing thermal efficiency and reliability.  

The MOSFET features a **low gate charge (Q_G)** and **low threshold voltage (V_GS(th))**, enabling faster switching speeds and improved power efficiency. Packaged in a **TO-263 (D2PAK) surface-mount** form factor, it offers excellent thermal dissipation and is suitable for automated assembly processes.  

Engineers favor the HUF76107D3S for its balance of performance, durability, and compact design, making it a preferred choice in power supply modules, automotive systems, and industrial applications where efficiency and thermal management are critical. Its specifications ensure reliable operation under high-current conditions while maintaining minimal power dissipation.

20A, 30V, 0.052 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs