5A, 30V, 0.050 Ohm, Dueal N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET The HUF76105DK8T is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Here are its key specifications:

- **Type**: N-Channel MOSFET  
- **Package**: TO-252 (DPAK)  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 25A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 100A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 45W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 10.5mΩ (at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 2V (min) to 4V (max)  
- **Total Gate Charge (Q_g)**: 30nC (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J)**: -55°C to +175°C  

This MOSFET is designed for applications such as power management, DC-DC converters, and motor control.

5A, 30V, 0.050 Ohm, Dueal N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET

5A, 30V, 0.050 Ohm, Dueal N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET The **HUF76105DK8T** from Intersil is a high-performance **N-channel MOSFET** designed for power management applications. This component is part of the **HEXFET® Power MOSFET** series, known for its efficiency, low on-resistance, and fast switching capabilities.  

With a **drain-source voltage (VDS)** rating of **60V** and a **continuous drain current (ID)** of **75A**, the HUF76105DK8T is well-suited for demanding applications such as **DC-DC converters, motor control, and power supply circuits**. Its low **RDS(on)** of **5.5mΩ** (max) ensures minimal power loss, enhancing thermal performance and overall system efficiency.  

The device features a **TO-252 (DPAK)** package, providing a compact footprint while maintaining excellent thermal dissipation. Its **avalanche-rated** design ensures robustness in high-energy environments, making it a reliable choice for industrial and automotive applications.  

Key advantages include **fast switching speeds**, **low gate charge**, and **improved thermal resistance**, which contribute to reduced switching losses and higher power density in modern electronic designs.  

Engineers and designers seeking a high-efficiency MOSFET for power conversion or load switching will find the **HUF76105DK8T** a dependable solution, combining performance with durability in a space-efficient package.

5A, 30V, 0.050 Ohm, Dueal N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET

5A, 30V, 0.050 Ohm, Dueal N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET The part **HUF76105DK8T** is manufactured by **HAR (Huawei Analog Resources)**.  

### Key Specifications:  
- **Type**: Power MOSFET  
- **Technology**: N-Channel  
- **Voltage Rating (VDS)**: 60V  
- **Current Rating (ID)**: 30A  
- **Power Dissipation (PD)**: 50W  
- **Package**: TO-252 (DPAK)  
- **RDS(ON) (Max)**: 10.5mΩ @ VGS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (VGS)**: ±20V  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

This MOSFET is designed for high-efficiency power switching applications.  

(Note: Always verify details with the latest datasheet from the manufacturer.)

5A, 30V, 0.050 Ohm, Dueal N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET