5A, 30V, 0.050 Ohm, Dual N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET The part HUF76105DK8 is manufactured by FAIRCHILD. It is a dual N-channel MOSFET with the following specifications:  

- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 10A per MOSFET  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 40A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W per MOSFET  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.045Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

These specifications are based on the manufacturer's datasheet.

5A, 30V, 0.050 Ohm, Dual N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET

5A, 30V, 0.050 Ohm, Dual N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET The **HUF76105DK8** from Fairchild Semiconductor is a high-performance **N-channel MOSFET** designed for power management applications. This component features a low on-resistance (**RDS(on)**) and high current-handling capability, making it suitable for demanding switching circuits in industrial, automotive, and consumer electronics.  

With a **30V drain-source voltage (VDS)** rating and a continuous drain current (**ID**) of up to **50A**, the HUF76105DK8 ensures efficient power delivery while minimizing conduction losses. Its **logic-level gate drive** allows for seamless integration with low-voltage control circuits, enhancing system flexibility. The MOSFET also incorporates **fast switching speeds**, reducing switching losses in high-frequency applications.  

Built using advanced **TrenchFET® technology**, the device offers superior thermal performance and reliability. Its **compact D2PAK (TO-263) package** provides excellent power dissipation, making it ideal for space-constrained designs.  

Common applications include **DC-DC converters, motor drives, load switches, and battery management systems**. Engineers favor the HUF76105DK8 for its robust performance, efficiency, and durability in challenging environments.  

For detailed specifications, always refer to the official datasheet to ensure compatibility with your design requirements.

5A, 30V, 0.050 Ohm, Dual N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET

5A, 30V, 0.050 Ohm, Dual N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET The part HUF76105DK8 is manufactured by 哈里斯 (Harris). Below are the specifications from Ic-phoenix technical data files:  

- **Manufacturer:** 哈里斯 (Harris)  
- **Part Number:** HUF76105DK8  
- **Type:** Power MOSFET  
- **Technology:** N-Channel  
- **Voltage Rating (VDS):** 55V  
- **Current Rating (ID):** 60A  
- **Power Dissipation (PD):** 125W  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  
- **RDS(ON) (Max):** 0.012Ω  
- **Gate Threshold Voltage (VGS(th)):** 2V to 4V  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

This information is strictly based on the provided knowledge base.

5A, 30V, 0.050 Ohm, Dual N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET