75A/ 150V/ 0.016 Ohm/ N-Channel/ UltraFET Power MOSFET The **HUF75852G3** from Intersil is a high-performance power MOSFET designed for demanding applications requiring efficient power management and robust performance. This N-channel enhancement-mode device is built using advanced trench technology, offering low on-resistance (RDS(on)) and high current-handling capabilities, making it ideal for power switching in various electronic systems.  

Key features of the HUF75852G3 include a **55V drain-source voltage (VDS) rating** and a **continuous drain current (ID) of 75A**, ensuring reliable operation under high-power conditions. Its low gate charge and fast switching characteristics enhance efficiency in high-frequency applications such as DC-DC converters, motor control, and power supplies.  

The MOSFET is housed in a **TO-220AB package**, providing excellent thermal performance and mechanical durability. Its lead-free and RoHS-compliant construction aligns with modern environmental standards.  

Engineers value the HUF75852G3 for its balance of performance, thermal efficiency, and ruggedness, making it a preferred choice in industrial, automotive, and consumer electronics where power efficiency and reliability are critical.  

For detailed specifications, always refer to the official datasheet to ensure proper integration into circuit designs.

75A/ 150V/ 0.016 Ohm/ N-Channel/ UltraFET Power MOSFET

75A/ 150V/ 0.016 Ohm/ N-Channel/ UltraFET Power MOSFET The **HUF75852G3** from Fairchild Semiconductor is a high-performance **N-channel MOSFET** designed for power management applications. This component is optimized for **low on-resistance (RDS(on))** and **fast switching speeds**, making it suitable for high-efficiency DC-DC converters, motor control circuits, and power supply systems.  

Built with advanced trench technology, the HUF75852G3 offers a **30V drain-source voltage (VDS)** rating and a **continuous drain current (ID)** of up to **75A**, ensuring robust performance in demanding environments. Its **low gate charge** minimizes switching losses, improving overall system efficiency.  

The MOSFET features a **TO-263 (D2PAK) package**, providing excellent thermal dissipation and mechanical durability. This makes it ideal for applications where heat management and reliability are critical. Additionally, the device is **RoHS-compliant**, adhering to environmental safety standards.  

Engineers often select the HUF75852G3 for its **balance of power handling and efficiency**, particularly in automotive, industrial, and consumer electronics. Its combination of **low conduction losses and high-speed switching** ensures optimal performance in both high-frequency and high-current applications.  

For detailed specifications, refer to the official datasheet to ensure proper integration into circuit designs.

75A/ 150V/ 0.016 Ohm/ N-Channel/ UltraFET Power MOSFET

75A/ 150V/ 0.016 Ohm/ N-Channel/ UltraFET Power MOSFET The part **HUF75852G3** is manufactured by **FAIRCHILD SEMICONDUCTOR (now part of ON Semiconductor)**.  

### Key Specifications:  
- **Type**: N-Channel Power MOSFET  
- **Voltage Rating (VDS)**: 60V  
- **Current Rating (ID)**: 75A (continuous)  
- **Power Dissipation (PD)**: 200W  
- **RDS(ON)**: 8.5mΩ (max) at VGS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (VGS)**: ±20V  
- **Package**: TO-220AB  

This MOSFET is designed for high-power switching applications, such as motor control and power supplies.  

(Note: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR was acquired by ON Semiconductor in 2016.)

75A/ 150V/ 0.016 Ohm/ N-Channel/ UltraFET Power MOSFET