56A, 100V, 0.025 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs The part HUF75639S3ST is a Power MOSFET manufactured by N/A. Below are its specifications:

- **Type**: N-Channel MOSFET
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 30V
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 75A
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 300A
- **Power Dissipation (P_D)**: 125W
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 3.9mΩ (max) at V_GS = 10V
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 1V (min) to 2.5V (max)
- **Total Gate Charge (Q_g)**: 110nC (typ)
- **Operating Junction Temperature (T_J)**: -55°C to +175°C
- **Package**: TO-263 (D2PAK)

These are the factual specifications for the HUF75639S3ST MOSFET. No further suggestions or guidance are provided.

56A, 100V, 0.025 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs

56A, 100V, 0.025 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs The HUF75639S3ST is a Power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Here are its key specifications:  

- **Type**: N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 75A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 300A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 5.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g)**: 130nC (typical)  
- **Package**: TO-263 (D²PAK)  

These specifications are based on Fairchild Semiconductor's datasheet for the HUF75639S3ST.

56A, 100V, 0.025 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs