56A/ 100V/ 0.025 Ohm/ N-Channel UltraFET Power MOSFETs The HUF75639P3 is a P-Channel Power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor. Here are its key specifications:

- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: -30V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: -75A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: -300A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 9.5mΩ (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: -2V to -4V  
- **Total Gate Charge (Q_g)**: 110nC (typical)  
- **Package**: TO-220AB  

These specifications are based on Fairchild's datasheet for the HUF75639P3.

56A/ 100V/ 0.025 Ohm/ N-Channel UltraFET Power MOSFETs