100V N-Channel UltraFET Power MOSFET The HUF75631S3ST is a Power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor. Here are its key specifications:

- **Type**: N-Channel MOSFET
- **Drain-Source Voltage (VDS)**: 60V
- **Continuous Drain Current (ID)**: 75A
- **Pulsed Drain Current (IDM)**: 300A
- **Power Dissipation (PD)**: 125W
- **Gate-Source Voltage (VGS)**: ±20V
- **On-Resistance (RDS(on))**: 6.5mΩ (max) at VGS = 10V
- **Threshold Voltage (VGS(th))**: 2V to 4V
- **Package**: TO-263 (D2PAK)
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +175°C

This MOSFET is designed for high-efficiency power switching applications.

100V N-Channel UltraFET Power MOSFET