66A, 55V, 0.016 Ohm. N-Channel UltraFET Power MOSFETs The part HUF75333S3 is manufactured by HARRIS (now part of Renesas Electronics). It is a P-channel Power MOSFET with the following specifications:

- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: -30V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: -75A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.009Ω (typical) at V_GS = -10V  
- **Package**: TO-220AB  

These specifications are based on standard operating conditions. For detailed performance characteristics, refer to the official datasheet.

66A, 55V, 0.016 Ohm. N-Channel UltraFET Power MOSFETs