19A/ 55V/ 0.070 Ohm/ N-Channel UltraFET Power MOSFETs The part **HUF75309P3** is manufactured by **FAIRCHILD SEMICONDUCTOR (now part of ON Semiconductor)**.  

### Specifications:  
- **Type**: Power MOSFET  
- **Technology**: N-Channel  
- **Voltage Rating (VDS)**: 30V  
- **Current Rating (ID)**: 75A  
- **Power Dissipation (PD)**: 125W  
- **Package**: TO-220AB  
- **RDS(ON)**: 9.5mΩ (max) @ VGS = 10V  
- **Gate Threshold Voltage (VGS(th))**: 2V (min) - 4V (max)  
- **Gate Charge (Qg)**: 50nC (typical)  

This MOSFET is designed for high-efficiency power switching applications.  

(Note: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR was acquired by ON Semiconductor in 2016, so the part may now be listed under ON Semiconductor’s product line.)

19A/ 55V/ 0.070 Ohm/ N-Channel UltraFET Power MOSFETs

19A/ 55V/ 0.070 Ohm/ N-Channel UltraFET Power MOSFETs The part HUF75309P3 is manufactured by INTERSIL. It is a P-Channel MOSFET with the following specifications:

- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: -30V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: -13A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 40W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.09Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: -1V to -3V  
- **Package**: TO-220AB  

These specifications are based on the datasheet provided by INTERSIL.

19A/ 55V/ 0.070 Ohm/ N-Channel UltraFET Power MOSFETs