- **Type**: Silicon PIN photodiode  
- **Spectral Range**: 400 nm to 1100 nm  
- **Peak Sensitivity Wavelength**: 940 nm  
- **Reverse Voltage (Max)**: 30 V  
- **Dark Current (Typical)**: 2 nA (at VR = 10 V)  
- **Capacitance (Typical)**: 15 pF (at VR = 10 V, f = 1 MHz)  
- **Rise Time (Typical)**: 4 ns  
- **Active Area Diameter**: 1.0 mm  
- **Package Type**: Plastic epoxy (2-lead)  

These specifications are based on standard testing conditions. For precise application requirements, refer to the official datasheet.