TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS The part HN9C01FT is manufactured by TOSHIBA. It is a P-channel MOSFET with the following specifications:  

- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -5.5A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 50mΩ (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1.0V to -2.5V  
- **Package:** SOP-8  

These specifications are based on TOSHIBA's datasheet for the HN9C01FT.