TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS The part HN9C01FE is manufactured by TOSHIBA. It is a semiconductor device, specifically a high-speed, low-power N-channel MOS field-effect transistor (MOSFET). Key specifications include:

- **Type**: N-channel MOSFET
- **Maximum Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 30V
- **Maximum Gate-Source Voltage (V_GSS)**: ±20V
- **Drain Current (I_D)**: 5A (continuous)
- **Power Dissipation (P_D)**: 1.5W
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.05Ω (typical) at V_GS = 10V
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C
- **Package**: SOP-8 (Small Outline Package)

These specifications are based on TOSHIBA's datasheet for the HN9C01FE.